您好,歡迎來到秋山科技(東莞)有限公司!
Product center
導(dǎo)語: 在化工新材料領(lǐng)域,填料的功能性往往取決于其晶體結(jié)構(gòu)的完整性。傳統(tǒng)微粉化技術(shù)在追求粒徑減小的同時(shí),極易破壞滑石珍貴的片狀結(jié)構(gòu),導(dǎo)致其“耐熱、尺寸穩(wěn)定、補(bǔ)強(qiáng)"等核心功能大打折扣。為了攻克這一行業(yè)痛點(diǎn),NANO ACE®應(yīng)運(yùn)而生。它通過在保持片狀形態(tài)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)超微細(xì)化,為工程塑料、電子絕緣層及3D打印等高1端領(lǐng)域帶來了全新的“納米王"解決方案。
普通的滑石粉微細(xì)化過程是一場(chǎng)“破壞性"的研磨,這會(huì)導(dǎo)致滑石無法充分發(fā)揮其固有的功能。而NANO ACE®的核心價(jià)值在于其革命性的加工技術(shù):
晶型完整保留:通過特殊工藝,即使在5萬倍電鏡下觀察截面,NANO ACE®依然呈現(xiàn)清晰、完整的片狀粒子結(jié)構(gòu),確保了滑石粉原始的高縱橫比與補(bǔ)強(qiáng)性能 。
粒徑精準(zhǔn)可控:在保持形狀的基礎(chǔ)上,將顆粒超微細(xì)化至納米級(jí),并嚴(yán)格限制最大粒徑(TOP Size),消除了大顆粒雜質(zhì)對(duì)高1端制品的不良影響。
NANO ACE®系列提供多種粒徑版本,以滿足從精密電子到通用改性的不同需求:
| 品名 | 白度 (%) | 粒徑 D50 (μm) | 最大粒徑 (μm) | 比表面積 (㎡/g) | 核心特性 |
|---|---|---|---|---|---|
| 納諾艾斯 D600 | 96 | 0.6 | 3.0 | 24 | 超高比表面積,極1致成核效率 |
| 納諾艾斯 D800 | 96 | 0.8 | 4.0 | 21 | 高填充度與分散性平衡 |
| 納諾艾斯 D1000 | 96 | 1.0 | 4.0 | 20 | 通用性強(qiáng),綜合性能優(yōu)異 |
| 納諾艾斯 FG-15 | 96 | 1.5 | 5.0 | 18 | 適用于高流動(dòng)性體系 |
注:高白度(96%)與低水分(≤0.7%)特性,確保了其在嚴(yán)苛化學(xué)工藝中的穩(wěn)定性。
NANO ACE®憑借“促進(jìn)結(jié)晶、提升耐熱、尺寸穩(wěn)定"的三大附加值,正在重新定義滑石粉的用途邊界:
1. 高性能成核劑(工程塑料與特種樹脂)
在PLA、PP等通用樹脂及PA6/PA66、PBT、PET/cPET等工程塑料中,NANO ACE®能作為高效成核劑,顯著提高樹脂的結(jié)晶速率和結(jié)晶度。這直接帶來了耐熱溫度(HDT)的提升、制品收縮率的降低以及尺寸穩(wěn)定性的飛躍 。
2. 電子材料(FCCL / CCL 絕緣層)
在FCCL(柔性覆銅板)和CCL(剛性覆銅板)等極薄絕緣層應(yīng)用中,傳統(tǒng)填料容易產(chǎn)生缺陷。NANO ACE®的納米級(jí)粒徑和極窄的粒徑分布,有效減少了針孔缺陷,同時(shí)保持了優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性和加工性,滿足了5G及先進(jìn)封裝對(duì)基板的嚴(yán)苛要求。
3. 高附加值粘合劑
在硅酮、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺系高性能粘合劑中,添加NANO ACE®可大幅改善膠體的耐熱性、機(jī)械可靠性和尺寸穩(wěn)定性,特別適用于下一代電子元器件的封裝與固定。
4. 3D打印(PLA耗材)
NANO ACE®以母粒(MB)形式添加,能顯著提升PLA線材的耐熱性,防止打印層間開裂,并增強(qiáng)層間粘合性。最終實(shí)現(xiàn)打印件的翹曲減少、機(jī)械性能提升以及表面質(zhì)量?jī)?yōu)化 。
5. PP發(fā)泡材料
在PP發(fā)泡工藝中,NANO ACE®能起到泡孔成核劑的作用,實(shí)現(xiàn)泡孔的細(xì)微化與均勻化。這有助于降低材料密度、提升隔熱性能并改善制品的尺寸精度,適用于汽車輕量化與包裝領(lǐng)域。
考慮到不同客戶的生產(chǎn)工況,NANO ACE®不僅提供粉末形態(tài),還可提供母粒(MB)形式。特別是在3D打印用PLA絲材、PE薄膜和泡沫材料中,母粒形式極大地提升了分散性,實(shí)現(xiàn)了安全、清潔的自動(dòng)化生產(chǎn),避免了粉塵飛揚(yáng)。
NANO ACE®并非普通的超細(xì)滑石粉,而是一款保留了完整片狀結(jié)構(gòu)的納米級(jí)功能性材料。它成功解決了“納米化"與“晶型破壞"之間的技術(shù)矛盾,是電子材料、高1端工程塑料及先進(jìn)制造領(lǐng)域突破技術(shù)瓶頸的理想選擇。